ہافنیم ہدف مواد

حفینیم ہدف مواد کی سب سے اہم اور اونچی - اختتامی ایپلی کیشنز سیمیکمڈکٹر انڈسٹری میں مرکوز ہیں ، جو ایک ناگزیر کلیدی بنیادی مواد ہے۔

اعلی {{0} κ κ ڈائی الیکٹرک: یہ حفینیم ہدف مواد کا سب سے انقلابی اطلاق ہے۔ چونکہ ٹرانجسٹر سائز نینوومیٹر کی سطح پر سکڑ جاتے ہیں ، روایتی سلیکن ڈائی آکسائیڈ (SIO ₂) گیٹ ڈائی الیکٹرک ضرورت سے زیادہ رساو موجودہ کی وجہ سے ناقابل استعمال ہوجاتے ہیں۔ انتہائی اعلی ڈائی الیکٹرک مستقل (کاپا ویلیو) کی وجہ سے ، SIO ₂ کی بجائے اسپٹرڈ ہافنیم آکسائڈ (HFO ₂) پتلی فلم کا استعمال کرکے ، اسی کیپسیٹینس کا اثر موٹی جسمانی موٹائی کے ساتھ حاصل کیا جاسکتا ہے ، گیٹ کے رساو کو مؤثر طریقے سے دبانے اور مور کے قانون کو جاری رکھنے کی اجازت دیتا ہے۔ تقریبا all تمام جدید جدید چپس (جیسے انٹیل 45nm نوڈس سے شروع ہونے والے) حفینیم پر مبنی ہائی کاپا میڈیا کا استعمال کرتے ہیں۔

میٹل گیٹ الیکٹروڈ: ہائی کاپا گیٹ ڈائی الیکٹرک کے ساتھ مل کر استعمال کیا جاتا ہے ، ہافنیم میٹل پتلی فلمیں بھی ٹرانجسٹروں کے لئے گیٹ الیکٹروڈ میٹریل کے طور پر استعمال کی جاسکتی ہیں۔

بازی مزاحم رکاوٹ پرت: چپس ، ہفنیم یا ہافنیم نائٹریڈ (ایچ ایف این) کی باہم جڑنے والی ڈھانچے میں پتلی فلمیں بہترین رکاوٹ پرتوں کے طور پر کام کرسکتی ہیں ، جس سے تانبے (کیو) کے جوہریوں کو سلیکن یا ڈائی الیکٹرک پرتوں اور نقصان دہ آلہ کی کارکردگی میں پھیلنے سے روکا جاسکتا ہے۔
مزاحم اور سنکنرن - مزاحم کوٹنگ پہنیں: ٹولز ، سانچوں ، طبی آلات وغیرہ کے کھیتوں میں ، ہافنیم نائٹریڈ (HFN) کوٹنگز جو پھیلنے والے (عام طور پر سنہری پیلے رنگ) کے ذریعہ تشکیل پائے جاتے ہیں ان میں انتہائی سختی ، لباس مزاحمت ، اور کیمیائی استحکام ہوتا ہے ، جو ورک پیسوں کی خدمت کی زندگی کو بہتر بنانے کے لئے استعمال ہوتے ہیں۔

تیاری کے عمل کی مختصر تفصیل

اعلی - کوالٹی ہافنیم اہداف کی تیاری ایک ٹکنالوجی کا ایک انتہائی عمل ہے

1. بدبودار اور طہارت: الیکٹران بیم پگھلنے (ای بی ایم) یا ویکیوم آرک پگھلنے (VAR) کے ذریعے اعلی - طہارت اور یکساں طور پر کمپوزڈ انگوٹ حاصل کرنا۔
پلاسٹک پروسیسنگ: ابتدائی شکل تشکیل دینے کے لئے جعل سازی ، رولنگ اور دیگر طریقوں کے ذریعے اناج کے سائز کو بہتر بنانا۔
2. پاؤڈر میٹالرجی (عام): زیادہ مرکزی دھارے میں شامل عمل یہ ہے کہ سرد آئسوسٹٹک پریسنگ (سی آئی پی) یا گرم آئسوسٹٹک پریسنگ (ہپ) کے ذریعہ اعلی - طہارت سے ہفنیئم پاؤڈر کی تشکیل کی جائے ، اور پھر اسے اعلی درجہ حرارت اور اعلی ویکیوم کے تحت اونچی جگہ کے تحت سونٹر کریں۔
3. مکینیکل پروسیسنگ: مطلوبہ حتمی سائز اور شکل کے لئے خالی ہدف پر عین مطابق عمل کریں ، اور اس بات کو یقینی بنائیں کہ پچھلی پلیٹ کے ساتھ بانڈنگ کی سطح مکمل طور پر فلیٹ ہے۔
4. بائنڈنگ: یہ مضبوطی سے بیکنگ پلیٹ (عام طور پر تانبے یا ایلومینیم) کے ساتھ بریزنگ کے ذریعے یا تنصیب اور ٹھنڈک کی سہولت کے ل cond کنڈکٹو چپکنے والی ہے۔

اعلی - کو ختم جسمانی بخار جمع کرنے والی ٹکنالوجی کے بنیادی مواد کے طور پر ، حفینیم ہدف کی کارکردگی براہ راست حتمی فلم کے معیار اور آلے کی وشوسنییتا کا تعین کرتی ہے۔ اس کی فعالیت کو حاصل کرنے کے ل it ، اسے خصوصیت کی بنیادی تقاضوں کو مندرجہ ذیل انتہائی مطالبہ کرنے والے کو پورا کرنا ہوگا۔

الٹرا ہائی پیورٹی ہیفنیئم کے ہدف کے مواد کی روح ہے۔ سیمیکمڈکٹر گریڈ کی ایپلی کیشنز کے ل target ، ہدف کے مواد کی پاکیزگی کو عام طور پر 99.95 ٪ (3n5) یا اس سے بھی 99.999 ٪ (5n) یا اس سے زیادہ تک پہنچنے کی ضرورت ہوتی ہے۔ کوئی بھی ٹریس ناپاک عناصر ، جیسے آئرن ، سوڈیم ، یورینیم ، تھوریم ، وغیرہ ، پھسلنے والے عمل کے دوران پتلی فلم میں داخل ہوں گے ، چارج ٹریپس یا کیریئر بکھرنے والے مراکز بنیں گے ، جو پتلی فلم کی بجلی کی خصوصیات کو سنجیدگی سے بگاڑیں گے (جیسے نقل و حرکت میں کمی اور بڑھتی ہوئی رساو کی کارکردگی) ، غیر یقینی طور پر غیر مستحکم یا ناکام ہونے کی وجہ سے۔ لہذا ، الٹرا - اعلی طہارت پتلی فلموں کی اندرونی خصوصیات کو یقینی بنانے کے لئے بنیادی شرط ہے۔

اعلی کثافت اور یکساں مائکرو اسٹرکچر اسپٹرنگ کے عمل کے استحکام کو یقینی بنانے کی جسمانی اساس ہیں۔ ہدف کا مواد تقریبا completely مکمل طور پر گھنے ہونا چاہئے ، جس میں کوئی نقائص جیسے چھید یا دراڑیں نہیں ہیں ، اور اناج کا سائز چھوٹا اور یکساں طور پر تقسیم ہونا چاہئے۔ ایک ہدف والا مواد جو گھنے نہیں ہے یا اس میں ناہموار مائکرو اسٹرکچر نہیں ہے وہ اسپٹرنگ کے دوران فلم کی تشکیل کی شرح اور مائیکرو آرکنگ میں اتار چڑھاو کا سبب بن سکتا ہے ، جس کی وجہ سے پتلی فلم میں مہلک ذرہ آلودگی پھیل جاتی ہے اور چپ مختصر سرکٹس کا سبب بنتا ہے۔ یکساں اور عمدہ اناج کا ڈھانچہ پھیلنے کی شرح اور عمل کی تکرار کی مستقل مزاجی کو یقینی بناتا ہے۔

عین مطابق کیمیائی ساخت فنکشنل تنوع کے ساتھ ہافنیم ہدف کے مواد کو ختم کرتی ہے۔ درخواست کے مختلف منظرناموں کے مطابق ، ہدف کے مواد کی کیمیائی شکل کو عین مطابق ڈیزائن اور کنٹرول کرنے کی ضرورت ہے۔ یہ ایک خالص دھات کا ہافنیم ہدف ہوسکتا ہے جو کنڈکٹو پرتوں کو جمع کرنے کے لئے استعمال ہوتا ہے۔ یہ ہافنیم آکسائڈ (HFO ₂) کا ہدف بھی ہوسکتا ہے ، جو ٹرانجسٹروں کے لئے گیٹ ڈائی الیکٹرک کے طور پر اعلی کاپا پتلی فلموں کو تیار کرنے کے لئے استعمال ہوتا ہے۔ یہ ایک ہافنیم نائٹریڈ (HFN) ہدف بھی ہوسکتا ہے جو سپر ہارڈ پہن - مزاحم کوٹنگز یا بازی رکاوٹیں پیدا کرنے کے لئے استعمال ہوتا ہے۔ ہر جزو بالکل مختلف فنکشن سے مطابقت رکھتا ہے ، اور اس کے بنیادی تناسب کو عین مطابق کنٹرول کرنا چاہئے۔

اس کی انجینئرنگ کی درخواست کے لئے طرح طرح کی شکلیں اور سائز ایک ناگزیر ضرورت ہے۔ حفینیم ہدف کا مواد لیبارٹری اسکیل نمونہ نہیں ہے ، بلکہ ایک صنعتی مصنوع ہے جس کو تجارتی اسپٹرنگ آلات کے ساتھ مماثل بنانے کی ضرورت ہے۔ لہذا ، اس پر مخصوص شکلوں (عام طور پر سرکلر اور آئتاکار) پر کارروائی کی جانی چاہئے ، اور اس کا سائز چیمبر ڈیزائن ، سبسٹریٹ سائز ، اور اسپٹرنگ مشین کے بیکپلیٹ کے ساتھ بالکل مماثل ہونا چاہئے تاکہ بڑی بڑی فلم میں بڑے - پیمانے کی تیاری میں یکساں پتلی فلم جمع کو یقینی بنایا جاسکے۔

سیمیکمڈکٹر انڈسٹری کے لئے نانوسکل دور کی طرف بڑھنے کے لئے ہافنیم ٹارگٹ میٹریل ایک اہم محرک قوت ہے۔ اگرچہ یہ مینوفیکچرنگ آلات کے چیمبروں کے اندر پوشیدہ ہے ، لیکن چھوٹی چھوٹی پتلی فلمیں جو اس کی تیاری کرتی ہیں براہ راست پروسیسرز اور دیگر چپس کی کارکردگی ، بجلی کی کھپت اور وشوسنییتا کا تعین کرتی ہیں۔ یہ جدید انفارمیشن ٹکنالوجی کے کارن اسٹون مواد میں سے ایک ہے اور اس میں انتہائی اعلی تکنیکی اضافی قیمت ہے۔

ڈاؤن لوڈ، اتارنا ٹیگ: ہافنیم ہدف مواد ، چین ہیفنیئم ٹارگٹ میٹریل مینوفیکچررز ، سپلائرز ، فیکٹری